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美光3D NAND回收替代栅极架构:来岁将量产

  • 未知

存储行业跟着物联网时代的光降也迎来了一波新的成长机会,凤凰城娱乐的,克日,按照最新动静显示,美系存储巨头,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代产物基于美光全新研发的替代栅极架构,将于来岁开始小范畴量产。

按照知恋人士透露,美光新型替代栅极架构将首次应用在128层闪存之中,继承沿用CMOS阵列,新一代的替代栅极布局有望让Die size和本钱进一步减小。

美光团体CEO对此暗示,今朝已经乐成完成替代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片,这一里程碑的希望低落了产物技能向下一代技能过渡的风险,而且强调首取代代栅极架构将被应用在128层NAND产物上,先期会被应用到特定的产物线。

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